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Harold2024/02/07
ASML韩国研发中心2027年引入 High-NA EUV光刻机

ASML韩国公司总裁Lee Woo kyung近期透露,ASML与三星电子的合资研发中心预计将最迟在2027年引入 High-NA 光刻机。

三星电子和ASML去年签署协议,各自出资1万亿韩元(约54亿元人民币)在韩国设立联合研发中心。此中心将为双方工程师提供EUV设备进行先进半导体研究合作。

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对于该研发中心建设进展,Lee Woo kyung称:“我们在ASML韩国华城园区附近找到新址,明年动工。完工后拟引进 High-NA 设备,最晚2027年完成。”此次ASML韩国首次透露出研发中心具体选址和引入 High-NA 设备的时间表。

High-NA EUV 光刻机能实现2纳米以下工艺,使各大厂商争夺其产能。去年12月消息,英特尔已收到ASML交付的首台这种设备。

三星电子已表示2027年计划生产1.4纳米工艺品。

全文完
文章来自:爱活网
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评论
从现在知道的信息来看,应该还是ARM架构,除了ARM也没什么适合移动端的新架构。
还是arm架构吗,听说弄了新架构
EVO_1438 2023/05/25
能把我拍的好看点吗
EVO_1438 2023/05/25
今年realme的声音小了很多啊
EVO_1438 2023/05/25
版权 © 2017 爱活网 Evolife.cn 科技进化生活 [沪ICP备2021031998号]
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