10nm LPE工艺

从整体设计上，骁龙835延续CPU+GPU+DSP异构运算体系与低功率岛设计，又有效率核心，可凭这些应付30亿晶体管的功耗是不够的，骁龙835一个关键变化是应用了三星的10nm LPE工艺。

在进入纳米时代，半导体工艺每迈进一步更为艰难，于是慢慢出现了分两步走的方式。比如三星在14nm时就有LPE（Low Power Early）、LPP（Low Power Plus）两种工艺，LPE解决能否实现14nm的问题，LPP实现14nm工艺全部性能，不过直到今年4月三星才公布10nm LPP工艺，更早发布的骁龙835使用了当时最先进10nm LPE工艺。

根据三星资料表示，10nm LPE工艺比骁龙820上采用的14nm LPP在芯片复杂度、规模与频率相同的情况下能将低40%的功率，或是芯片复杂度、规模与功率不变下增加27%频率，同设定下10nm LPP比10nm LPE功率降低15%或能提高10%频率。

使用10nm LPE工艺的骁龙835实际表现是封装面积要比骁龙820小35%。高通官方曾做了一个演示，让SD835 Reference Phone、SD820 Reference Phone开发机运行同样VR负载，实测平均功率分别是3.56W、4.6W，整机功耗（包含SoC、存储器、屏幕）前者比后者低23%，高通表示假若只考虑SoC，骁龙835在运行VR下只有骁龙820功耗的一半。

结语

要取胜对手，抵消每一次晶体管数量、密度增加的负面影响必走之路是采用更先进的工艺，高通骁龙835使用当前最先进的10nm工艺，继承了成熟的异构体系与低功率岛设计，并用一个强化性能、自行设计的效率CPU内核处理承担大部分任务，更符合今天手机使用环境。