虽说智能手机的体验并不能仅仅从处理器性能体现，但哪怕是高举信仰大旗的真爱粉们，都无法忽视硬件对于一部手机中的重要性，毕竟一切愉快的使用感受都需要以此为基础，因此，我们才会对更强处理器如此的翘首以盼。而当前最值得关注的移动处理器平台，非高通骁龙835莫属，它不仅采用10nm工艺打造，更在纸面数据有了不少进步。

不过，相比已经成熟的高通骁龙821以及主打高端市场的麒麟960处理器，高通骁龙835的实际表现究竟如何？它能够延续漂亮的纸面成绩？今日高通就在北京瑰丽酒店举办了名为《强者愈强》的骁龙835移动平台亚洲首秀活动，大会除了介绍了有关高通骁龙835的参数信息外，还让小编实际体验了一把这块次世代处理器的实际表现。

10nm FinFET工艺 高通骁龙835移动平台究竟能有多快？

几乎每一代高通骁龙处理器都在半导体工艺上有所进步，高通骁龙820处理器用上了14nm FinFET工艺，而高通骁龙835则成为了业内首款采用三星10nm FinFET工艺的移动处理器。更高的半导体工艺带来了几点好处，首先是芯片封装尺寸的减小，高通骁龙835相比上一代高通骁龙820封装尺寸减小35%，要知道在当前智能手机追求愈发轻薄的当下，ID设计迫使内部元器件的精密度越来越高，更小的芯片尺寸意味着OEM厂商在制造设备时有更大的空间留给其他部件。

而在核心处理器方面，高通骁龙835也是继续沿用Kyro架构，但是在时钟频率和核心数量大有不同，高通骁龙835将其称为Kyro280。高通骁龙820处理器采用了两簇核心管控2aSMP，2×2.2GHz + 2×1.5GHz的四核心设计；而高通骁龙835则在每个簇中都添上了两颗核心，采用了两簇核心管控4aSMP，其中高性能核心主频达到2.45GHz，而效率核心也提升至1.9GHz。

不过别以为高通骁龙835仅仅是高通骁龙820的提频版，它的处理器的L2缓存也直接翻倍，其中高通性能核心拥有2MB L2二级缓存，效率核心则拥有1MB L2二级缓存。在诸如APP加载时间、网页浏览以及VR应用中，更大的二级缓存带来了20%的的性能提升，同时也进一步压榨功耗，延长使用时间。

因此反映到实际表现，高通骁龙835也展示出了一骑绝尘的性能表现。和一年前高通骁龙820优先的Benchmark一样，高通同样提供了一部内部测试终端来供小编体验，它采用了2560*1440分辨率显示屏、6GB LPDDR4内存以及64GB UFS储存。我们依旧采用了常见的Geekbench4、安兔兔以及GFXBench这三款工具来测试高通骁龙835的具体性能。和传闻一样，高通骁龙835在安兔兔6.2.7的测试中，轻松突破18w大关，一举追平此前苹果A10 Fusion维持的记录。

而在高通骁龙820沉寂的GeekBench4的测试中，高通骁龙835也得到了不错的成绩，单线程回归2000分大关，达到了2048，而多线程得分来到了6400分。这一成绩距离苹果A10 Fusion仍然有所差异，但高通强调，骁龙835处理器的着重目标在于日常用户的使用功耗，在某些场景里，实现相同性能表现，它的功耗甚至只有高通骁龙821的一半。

在高通一项厉害的图形方面，Adreno540 GPU在于G71的表现中同样展示了一骑绝尘的能力，经典的T-Rex以及Manhattan测试，比起上一代Adreno530都有了不同程度的帧数提升。