解决了与魅族的专利纠纷后，移动通信巨头高通总算为自己的2016划上了句点。事实上回首这一年，虽不能算顺风顺水，但凭借骁龙820以及高通骁龙652/625等产品的绝佳表现，高通再次捍卫了移动处理器霸主的地位。而在已经到来的2017年，高通也不会乐于将来之不易的地位拱手相让，当老对手MTK仍受困于工艺时，高通骁龙835已经悄悄揭开神秘的面纱。

10nm FinFET工艺 Kyro280登场

从高通骁龙800处理器开始，几乎每一代高通骁龙8系处理器都在半导体工艺方面有所进步，高通骁龙820处理器用上了14nm FinFET工艺，而早在2016年12月，高通就已经公布，高通骁龙835将会首先采用三星10nm FinFET工艺。

更高的半导体工艺带来了几点好处，首先是芯片封装尺寸的减小，高通骁龙835相比上一代高通骁龙820封装尺寸减小35%，要知道在当前智能手机追求愈发轻薄的当下，ID设计迫使内部元器件的精密度越来越高，更小的芯片尺寸意味着OEM厂商在制造设备时有更大的空间留给其他部件。

当然这样的体积缩减并不是建立在减少晶体管数量的基础上，10nm FinFET工艺带来了更高的晶体管密度（高通骁龙835拥有30亿根晶体管），同时也意味着更低漏电率，根据高通官方的资料，高通骁龙835相比高通骁龙820实现了25%的功耗降低，在使用VR时的功耗甚至只有后者的一半。

不过对于一款处理器而言，除了工艺以外，架构也是影响最终性能和功耗的主因。高通骁龙835处理器没有悬念的继续沿用高通骁龙820的Kryo架构，但在时钟频率和核心数上却大有不同，高通将其称为Kyro280。高通骁龙820处理器采用了两簇核心管控2aSMP，2×2.2GHz + 2×1.5GHz的四核心设计；而高通骁龙835则在每个簇中都添上了两颗核心，采用了两簇核心管控4aSMP，其中高性能核心主频达到2.45GHz，而效率核心也提升至1.9GHz。

可别以为高通骁龙835仅仅是820的提频版，在核心设计上，处理器的L2缓存也直接翻倍，其中高通性能核心拥有2MB L2二级缓存，效率核心则拥有1MB L2二级缓存。在诸如APP加载时间、网页浏览以及VR应用中，更大的二级缓存带来了20%的的性能提升，同时也进一步压榨功耗，延长使用时间。